FET 类型N 沟道技术MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss)55V电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)110A(Tc)驱动电压( Rds On, Rds On)10V不同 Id 时的 Vgs(th)(值)4V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值)146nC电压,耦合至栅极电荷(Qg)()@ Vgs10VVgs(值)±20V不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值)3247pF电压,耦合至输入电容(Ciss)() @ Vds25VFET 功能-功率耗散(值)200W(Tc)不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值)8 毫欧 @ 62A,10V工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)安装类型通孔供应商器件封装TO-220AB封装/外壳TO-220-3
产品广泛应用于电源,通讯,汽车电子,医疗设备,节能灯,家电,等领域
<1>电源类产品:开关电源、不间断电源UPS、电源转换器AC/DC、DC/DC、手机充电器等
<2>消费电子类产品:音响、DVD/VCD、DVD刻录机、机顶盒、MP3等
<3>汽车电子类产品:HID安定器、汽车音响、车载DVD、汽车导航系统、汽车防盗器等
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