产品分类
MOSFETs 晶体管
FET配置(电路类型)
N沟道
漏源击穿电压V(BR)dss
30V
漏极电流(Id, 连续)
7A
导通电阻 Rds(on)
1.4欧姆
阈值电压Vgs(th)
4V@250μA
耗散功率
100W
封装/外壳
TO-252-2(DPAK)
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