IRF640NPBF标准包装：50FET - 单系列类别：分离式半导体产品家庭：：HEXFET®FET 型：MOSFET N 通道，

金属氧化物FET 特点：标准型漏极至源极电压(Vdss)：200V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：

18A开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C：150 毫欧 @ 11A，10VId 时的 Vgs(th)

（）：4V @ 250μA闸电荷(Qg) @ Vgs：67nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds：1160pF @ 25V功率 - ：

150W安装类型：通孔封装/外壳：TO-220-3供应商设备封装：TO-220AB包装：管件其它名称：*IRF640NPBF产品广泛应用于电源，通讯，汽车电子，医疗设备，节能灯,家电，等领域
＜1＞电源类产品：开关电源、不间断电源UPS、电源转换器AC/DC、DC/DC、手机充电器等
＜2＞消费电子类产品：音响、DVD/VCD、DVD刻录机、机顶盒、MP3等
＜3＞汽车电子类产品：HID安定器、汽车音响、车载DVD、汽车导航系统、汽车防盗器等

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