FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）55V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）110A（Tc）驱动电压（ Rds On， Rds On）10V不同 Id 时的 Vgs（th）（值）4V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）146nC电压，耦合至栅极电荷（Qg）（）@ Vgs10VVgs（值）±20V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）3247pF电压，耦合至输入电容（Ciss）（） @ Vds25VFET 功能-功率耗散（值）200W（Tc）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）8 毫欧 @ 62A，10V工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型通孔供应商器件封装TO-220AB封装/外壳TO-220-3

产品广泛应用于电源，通讯，汽车电子，医疗设备，节能灯,家电，等领域
＜1＞电源类产品：开关电源、不间断电源UPS、电源转换器AC/DC、DC/DC、手机充电器等
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