工厂包装数量 1000
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 1050 V
晶体管极性 N-Channel
封装/外壳 TO-220FP-3
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 3 V
Qg - Gate Charge 17 nC
Vgs - Gate-Source Voltage 30 V
下降时间 25 ns
封装 Tube
品牌 STMicroelectronics
通道数 1 Channel
配置 Single
工作温度 + 150 C
Id - Continuous Drain Current 4 A
Rds On - Drain-Source Resistance 1.4 Ohms
RoHS RoHS Compliant
典型关闭延迟时间 43 ns
通道模式 Enhancement
系列 MDmesh K5
安装风格 Through Hole
工作温度 - 55 C
Pd - Power Dissipation 25 W
上升时间 7 ns
技术 Si
P（ TOT ） 25 W
R（ THJC ） 1.14 K/W
V（ DS ） 1050 V
I(D)at Tc=25°C 4 A
包装 TO220FP
汽车 NO
Q（克） 17 nC
Fast bodydiode NO
安装 THT
RDS(on)at 10V 2000 mOhm
Logic level NO
Leadfree Defin RoHS-conform
Configuartion N-CH
产品广泛应用于电源，通讯，汽车电子，医疗设备，节能灯,家电，等领域
＜1＞电源类产品：开关电源、不间断电源UPS、电源转换器AC/DC、DC/DC、手机充电器等产品范围选择器 (MDmesh K5 Series) 查看全系列相关产品
漏源电压, Vds
 
电流, Id 连续
 
在电阻RDS（上）
 
晶体管封装类型
 
晶体管安装
 
阈值电压 Vgs
 
功耗 Pd
 
针脚数
 
产品类型
 
汽车质量标准