标准包装	4,000
FET 型	2 N-Channel (Dual)
FET特点	Logic Level Gate
漏极至源极电压（VDSS）	55V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C	4.7A
Rds（）@ ID，VGS	50 mOhm @ 4.7A, 10V
VGS（TH）（）@ Id	1V @ 250μA
栅极电荷（Qg）@ VGS	36nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的	740pF @ 25V
功率 -	2W
安装类型	Surface Mount
包/盒	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
供应商器件封装	8-SO
包装材料	Tape & Reel (TR)
包装	8SOIC
通道模式	Enhancement
漏源电压	55 V
连续漏极电流	4.7 A
RDS -于	50@10V mOhm
门源电压	±20 V
典型导通延迟时间	8.3 ns
典型上升时间	3.2 ns
典型关闭延迟时间	32 ns
典型下降时间	13 ns
工作温度	-55 to 150 °C
安装	Surface Mount
标准包装	Tape & Reel
FET特点	Logic Level Gate
封装	Tape & Reel (TR)
安装类型	Surface Mount
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C	4.7A
的Vgs（th ） （）@ Id	1V @ 250μA
漏极至源极电压（Vdss）	55V

产品广泛应用于电源，通讯，汽车电子，节能灯,家电，等领域
＜1＞电源类产品：开关电源、不间断电源UPS、电源转换器AC/DC、DC/DC、手机充电器等
＜2＞消费电子类产品：音响、DVD/VCD、DVD刻录机、机顶盒、MP3等
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