品牌 华晶 型号 CS90N03B4
种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道
导电方式 耗尽型 封装外CS100N03 形 SMD(SO)/表面封装
材料 N-FET硅N沟道 开启电压 25（V）
夹断电压 20（V） 跨导 1（μS）
极间电容 1（pF） 低频噪声系数 1（dB）
漏极电流 90A（mA） 耗散功率 80（mW）
General Description：


VDSS 30 V
ID 100 A
PD(TC=25℃) 100 W
RDS(ON) 5.3 mΩ
CS90N03 B4, the silicon N-channel Enhanced
VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology
which reduce the conduction loss, improve switching
performance and enhance the avalanche energy. The transistor
can be used in various power switching circuit for system
miniaturization and higher efficiency. The package form isTO-252,
which accords with the RoHS standard.
Features：
z TrenchFET Power MOSFET
z Low ON Resistance(Rdson≤8mΩ)
z Low Gate Charge (Typical Data:17nC)
z Low Reverse transfer capacitances(Typical:70pF)
z 100% Single Pulse avalanche energy Test
产品广泛应用于电源，通讯，汽车电子，医疗设备，节能灯,家电，等领域
＜1＞电源类产品：开关电源、不间断电源UPS、电源转换器AC/DC、DC/DC、手机充电器等
＜2＞消费电子类产品：音响、DVD/VCD、DVD刻录机、机顶盒、MP3等
＜3＞汽车电子类产品：HID安定器、汽车音响、车载DVD、汽车导航系统、汽车防盗器等

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