IRFB11N50APBF标准包装 1,000
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压（VDSS） 500V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C 11A
Rds（）@ ID，VGS 520 mOhm @ 6.6A, 10V
VGS（TH）（）@ Id 4V @ 250μA
栅极电荷（Qg）@ VGS 52nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的 1423pF @ 25V
功率 - 170W
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-220-3
供应商器件封装 TO-220AB
包装材料 Tube
包装 3TO-220AB
通道模式 Enhancement
漏源电压 500 V
连续漏极电流 11 A
RDS -于 520@10V mOhm
门源电压 ±30 V
典型导通延迟时间 14 ns
典型上升时间 35 ns
典型关闭延迟时间 32 ns
典型下降时间 28 ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Through Hole
标准包装 Rail / Tube
门源电压 ±30
包装宽度 4.65(Max)
PCB 3
功率耗散 170000
漏源电压 500
欧盟RoHS指令 Compliant
漏源电阻 520@10V
每个芯片的元件数 1
工作温度 -55
供应商封装形式 TO-220AB
标准包装名称 TO-220
工作温度 150
渠道类型 N
包装长度 10.51(Max)
引脚数 3
包装高度 9.01(Max)
连续漏极电流 11
标签 Tab
铅形状 Through Hole
单位包 50
起订量 1000
FET特点 Standard
封装 Tube
安装类型 Through Hole
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C 11A (Tc)
的Vgs（th ） （）@ Id 4V @ 250μA
封装/外壳 TO-220-3
供应商设备封装 TO-220AB
其他名称 *IRFB11N50APBF
开态Rds（）@ Id ，V GS 520 mOhm @ 6.6A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 170W
漏极至源极电压（Vdss） 500V
输入电容（Ciss ） @ VDS 1423pF @ 25V
闸电荷（Qg ） @ VGS 52nC @ 10V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
产品广泛应用于电源，通讯，汽车电子，医疗设备，节能灯,家电，等领域
＜1＞电源类产品：开关电源、不间断电源UPS、电源转换器AC/DC、DC/DC、手机充电器等
＜2＞消费电子类产品：音响、DVD/VCD、DVD刻录机、机顶盒、MP3等
＜3＞汽车电子类产品：HID安定器、汽车音响、车载DVD、汽车导航系统、汽车防盗器等

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