IRF4905PBF 标准包装 50
FET 型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) 55V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 74A
Rds()@ ID,VGS 20 mOhm @ 38A, 10V
VGS(TH)()@ Id 4V @ 250μA
栅极电荷(Qg)@ VGS 180nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 3400pF @ 25V
功率 - 200W
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-220-3
供应商器件封装 TO-220AB
包装材料 Tube
包装 3TO-220AB
渠道类型 P
通道模式 Enhancement
漏源电压 55 V
连续漏极电流 74 A
RDS -于 20@10V mOhm
门源电压 ±20 V
典型导通延迟时间 18 ns
典型上升时间 99 ns
典型关闭延迟时间 61 ns
典型下降时间 96 ns
工作温度 -55 to 175 °C
产品广泛应用于电源,通讯,汽车电子,医疗设备,节能灯,家电,等领域
<1>电源类产品:开关电源、不间断电源UPS、电源转换器AC/DC、DC/DC、手机充电器等
<2>消费电子类产品:音响、DVD/VCD、DVD刻录机、机顶盒、MP3等
<3>汽车电子类产品:HID安定器、汽车音响、车载DVD、汽车导航系统、汽车防盗器等
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